Intel e Micron parlano delle nuove memorie chip NAND flash a 25 nanometri



Annuncio da parte della “IMFTIntel e Micron, i quali dichiarano di aver terminato il Wafer sviluppato con la migliore e più avanzata tecnologia mai vista in commercio in tutto il mondo, stiamo parlando delle :

  • Memorie NAND Flash

Queste memorie sono le medesime utilizzate all’interno di molti dispositivi portatili, smartphone, memory card, supporti media player e dischiSSD” allo stato solido.

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Il processo svolto dalla IM Flash Technologies è stato quello di costruire un dispositivo NAND unico al mondo (talmente piccolo da riuscire ad entrare nel foro di un CD, ma con una potenza 10 volte superiore a quella attuale) utilizzando circuiti a 25 nanometri producendo 8GB di storage, composti da 64 gigabyt, che a loro volta si dividono per memorizzare 2 bit per ogni cella presente, in un unico dispositivo.

Quindi questa nuovo tecnologia NAND flash ci consentirà attraverso soluzioni di densità più elevata (quasi raddoppiata) di aumentare la memoria delle nostre odierne (MLC), cioè delle NAND flash multi-level cell; Questo processo di alta densità, ci fa capire che adesso i dischi allo stato solido (SSD) avranno una capacità superiore da 356GB a 512GB è saranno costruiti con solo 32 dispositivi, contro i 64 utilizzati in passato; La loro grandezza si potrà scegliere sia da 2,5” che da 1,8”.

Inoltre sempre nel corso del 2010 Intel,dovrà anche presentare i nuovi chip flash NAND da 25 nm in formato SSD X25-M, con capacità di memoria oltre i 600 GB.

Questo progetto e questa scoperta, fanno si che una volta consegnato il prodotto ci saranno dispositivi con minori dimensioni, minori consumi e capacità ancora più elevate! Staremo a vedere il da farsi…

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